不均衡共振トンネル効果を用いた発光ダイオード

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大渕美千栄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157811
Publication number (International publication number)：2000357819
Application date： May. 29, 2000
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 2つの井戸システムに基づくLEDを提供する。【解決手段】本発明のLEDは、電荷不均衡共振トンネル効果を有し、第1および第2の連結した井戸を含む。第1および第2の連結した井戸のうちの一方は幅広井戸で、他方は活性量子井戸である。これらの井戸は、共振トンネル効果を有する障壁を介して連結されている。この障壁は電子を通過させ、かつ正孔を遮断する。

Claim (excerpt)：

電荷不均衡共振トンネル効果を用いた2の井戸部を構成する発光ダイオードであって、連結する第1および第2の井戸を含み、前記第1および第2の井戸のうち、一方は幅広井戸であり、他方は活性量子井戸であり、前記第1および第2の井戸は、共振トンネル障壁を介して連結し、前記共振トンネル障壁は、電子を通過させ、かつ正孔を遮断する、発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レーザデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-350892 Applicant：シャープ株式会社
多重量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321640 Applicant：日本電気株式会社
窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290218 Applicant：日亜化学工業株式会社

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