レーザデバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997350892
Publication number (International publication number)：1998190136
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】ガイド領域における非発光再結合パスへの電子の損失を低減する一方で、レーザ発振に寄与する活性領域への電子の捕獲が増加され、それによって、電流の閉じ込めが効率的に実行されてレーザ発振を得るために必要なレーザ閾値電流が低下されたレーザデバイスを提供する。【解決手段】分離閉じ込めヘテロ構造型のレーザデバイスが、光ガイド領域内の活性領域と、該光ガイド領域の相対する側にそれぞれ設けられたn型クラッド領域及びp型クラッド領域と、を備える。電子捕獲層が、光カイド領域のn側部分に設けられている。電子捕獲層の組成は、伝導体のX電子に対する最小エネルギーが周囲の活性領域の部分及び/或いは光ガイド領域のn側部分における値よりも低くなるように、設定される。電子捕獲層は、X電子を束縛するほど十分に厚く、使用時にはX電子の捕獲を促進する。電子捕獲層は、活性領域の中の少なくとも一つのΓ閉じ込めレベルへの捕獲されたX電子の移動を許容するほど、活性領域に十分に隣接して設けられる。

Claim (excerpt)：

ヘテロ構造を備える分離閉じ込めヘテロ構造型のレーザデバイスであって、該ヘテロ構造が、光ガイド領域と、該光ガイド領域に設けられた、少なくとも一つのエネルギー井戸を有する活性領域と、該光ガイド領域の相対する側にそれぞれ設けられたn型クラッド領域及びp型クラッド領域と、を備えており、さらに第1の電子捕獲層が、該活性領域に、或いは該活性領域と該n型クラッド領域との間に位置する該光ガイド領域の所定の部分に、設けられており、該第1の電子捕獲層の組成は、該第1の電子捕獲層が、該ヘテロ構造の隣接部分のXミニマムよりも高いXミニマムを有するように設定されており、該第1の電子捕獲層は、X電子を束縛するほど十分に厚く、使用時に、該第1の電子捕獲層が該X電子の捕獲を促進し、該第1の電子捕獲層は、該活性領域の中の少なくとも一つのΓ閉じ込めレベルへの該捕獲されたX電子の移動を許容するほど該活性領域に十分に隣接して設けられている、レーザデバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-264765 Applicant：日本電装株式会社
半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-164732 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-264184 Applicant：富士ゼロツクス株式会社

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