多重量子井戸型半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996321640
Publication number (International publication number)：1998163567
Application date： Dec. 02, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】電子が量子井戸層へ捕獲される時間および正孔がSCH層を走行する時間を短縮することにより、量子井戸層へのキャリアの注入効率を増大する。【解決手段】井戸層6と障壁層7よりなる歪多重量子井戸層1を活性層に持つ。歪多重量子井戸層1の両側には、障壁層7よりもエネルギー・ギャップの大きなp-InGaAsP SCH層2とn-InGaAsP GRIN-SCH層3が設けられており、n-InGaAsP GRIN-SCH層3は、p-InGaAsP SCH層2よりも厚く、そのエネルギー・ギャップが、多重量子井戸から離れるにしたがって大きくなるように構成されている。

Claim (excerpt)：

多重量子井戸構造を活性層に持つ多重量子井戸型半導体レーザにおいて、前記多重量子井戸構造層が、該多重量子井戸における障壁層よりもエネルギー・ギャップの大きなn型およびp型の2つの分離閉じ込めヘテロ構造層により挟まれた構造を有し、前記n型の分離閉じ込めヘテロ構造層は、p型の分離閉じ込めヘテロ構造層よりも厚く、そのエネルギー・ギャップが、前記多重量子井戸から離れるにしたがって大きくなるように構成されことを特徴とする多重量子井戸型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

多重量子井戸半導体レーザ及びそれを用いた光通信システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038232 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平2-228088
ヘテロ構造レーザ共振器とその共振器を備えたレーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-126492 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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