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J-GLOBAL ID：200903056617417279

窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板

Inventor：
清見 和正

About 清見 和正

, 
藤村 勇夫

About 藤村 勇夫


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005147955
Publication number (International publication number)：2006008500
Application date： May. 20, 2005
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
【課題】 1000°C以上の高温条件下において窒化物半導体と良好な格子整合性を有する化合物半導体元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。【解決手段】 窒化物半導体形成用ガスを導入することにより格子定数がa軸方向に0.30nmから0.36nmまで、c軸方向に0.48nmから0.58nmまでの化合物半導体元基板上に第1の窒化物半導体層を成長させ、該成長温度以下の温度で前記窒化物半導体形成用ガスに含まれている反応性ガスと前記元基板とを反応させて前記元基板を除去し、さらに前記第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体形成用ガスを導入することにより格子定数がa軸方向に0.30nmから0.36nmまで、c軸方向に0.48nmから0.58nmまでの化合物半導体元基板の一方の面上に第1の窒化物半導体層を温度T1でエピタキシャル成長させて、元基板及び第1の窒化物半導体層を有する下地層を形成する下地層形成工程と、 温度T1以下の温度T2において、前記窒化物半導体形成用ガスに含まれている反応性ガスと前記元基板とを反応させることにより、前記下地層から前記元基板を除去する元基板除去工程と、 前記第1の窒化物半導体層の面上に第2の窒化物半導体層を形成する第2の窒化物半導体層形成工程とを有することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18
FI (2)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18
F-Term (14)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特許2003-119100号公報(請求項11〜23、[0015]〜[0023])
  • 特許第2897821号公報(請求項1、[0006])
  • III族窒化物系化合物半導体の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-221425   Applicant：豊田合成株式会社
Cited by examiner (4)
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