III-V族化合物半導体製造装置及びIII-V族化合物半導体の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001057503
Publication number (International publication number)：2002261026
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】厚膜のIII-V族化合物半導体を結晶成長させる場合に、反りやクラックが発生することを抑えることができる。【解決手段】所定の膜厚になるまで、III-V族化合物半導体を種基板101の表面側に製造した後、種基板101をその裏面側からエッチングガス供給管16によってエッチングガスを供給し、種基板101を除去した後、V族原料供給管14BからV族原料ガスを種基板101を除去した面に供給するので、表面荒れに起因する欠陥が抑えられ、また、荒れたGaN面と結晶性の良いGaN成長面との応力差から発生する歪みの影響が解消され、反り、クラック等の欠陥が低減されたIII-V族化合物半導体を製造することができる。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体を結晶成長させるための種基板を保持する保持手段と、III-V族化合物半導体の原料を前記種基板の表面、及び裏面に向かって吹き出す原料供給手段とを備えたIII-V族化合物半導体製造装置において、前記保持手段は、前記種基板を、前記原料供給手段に表面が対向する状態及び裏面が対向する状態に変更し得るように保持し、前記保持手段によって保持された種基板の裏面をエッチングするエッチングガス供給手段が設けられていることを特徴とするIII-V族化合物半導体製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01L 21/20 , H01L 21/3065 , H01S 5/323 610

FI (5)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01L 21/20 , H01S 5/323 610 , H01L 21/302 N

F-Term (73)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EG24 , 4G077EG30 , 4G077HA02 , 5F004BB17 , 5F004BB24 , 5F004BC03 , 5F004BC08 , 5F004CA05 , 5F004CA08 , 5F004DA04 , 5F004DA20 , 5F004DA24 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F004DB22 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DP09 , 5F045DP14 , 5F045DP28 , 5F045DQ04 , 5F045DQ06 , 5F045EE12 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EF11 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EK06 , 5F045EM02 , 5F045EM07 , 5F045EM09 , 5F045HA13 , 5F052KA01 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB20 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

気相成長装置および気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-291557 Applicant：日本電気株式会社
化合物半導体の気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-318763 Applicant：日本電気株式会社
化合物半導体気相成長方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-228182 Applicant：日本電気株式会社

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