半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003305779
Publication number (International publication number)：2005079223
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むSiもしくはSiを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101に形成されたゲート構造は、高誘電率絶縁膜104及びその上にシリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる反応防止層105から構成される。高誘電率絶縁膜は、HfSiO,HfSiON,HfZrSiO,HfZrSiON,ZrSiO及びZrSiONの中から選択された材料からなる。ゲート絶縁膜とシリコンゲート電極106を直接接するように成膜した場合に発生する固定電荷を抑制することが可能になる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板に形成された機能素子とを具備し、前記機能素子は、前記半導体基板上に形成された高誘電率膜及びこの高誘電率膜上に形成された反応防止層からなるゲート絶縁膜と、前記反応防止層上に形成されたゲート電極とから構成されたゲート構造を有し、前記高誘電率膜は、Hf,Zrの少なくとも1つ以上を含み、SiO2 又はSiONを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (15)：

H01L29/78 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (14)：

H01L29/78 301G , C23C16/42 , H01L21/28 301D , H01L21/316 X , H01L27/08 331E , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L29/78 617M , H01L29/78 617V , H01L29/78 613A , H01L27/04 C , H01L27/08 102C , H01L27/08 321D , H01L29/58 G

F-Term (158)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA46 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029FA07 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA10 , 4K030BA22 , 4K030BA35 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030HA03 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB28 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG19 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC16 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038AV06 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048DA25 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BD05 , 5F058BD12 , 5F058BF04 , 5F058BF12 , 5F058BF17 , 5F058BF46 , 5F058BJ01 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN33 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140AC23 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG27 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG51 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC15 , 5F140CE07 , 5F140CE08 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-349543 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びMIS型半導体装置並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-365180 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082614 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (4)

半導体装置およびMIS型電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-115709 Applicant：株式会社東芝
薄膜形成方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-099262 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置、相補型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-077055 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page