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J-GLOBAL ID:200903092264431430

半導体装置およびMIS型電界効果トランジスタの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001115709
Publication number (International publication number):2002314067
Application date: Apr. 13, 2001
Publication date: Oct. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 High-K材料を含有し、金属酸化物と同等の比誘電率を有するゲート絶縁膜を具備したMIS型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板(1)と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも1種とシリコンとを含有する絶縁膜(6)と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも1種の金属原子を含む金属酸窒化膜(7)と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極(8)とを具備するMIS型電界効果トランジスタを備える半導体装置である。前記金属酸窒化膜中の前記金属原子と前記窒素との結合は、1019/cm3以下であることを特徴とする。
Claim (excerpt):
シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも1種とシリコンとを含有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも1種の金属原子を含む金属酸窒化膜と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記金属酸窒化膜中の前記金属原子と前記窒素との結合は、1019/cm3以下であるMIS型電界効果トランジスタを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 29/78 ,  H01L 21/314
FI (2):
H01L 21/314 M ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (27):
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD16 ,  5F058BF15 ,  5F058BH03 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG44 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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