膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：横山淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003166569
Publication number (International publication number)：2005005450
Application date： Jun. 11, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】半導体基板上に整合性を持たせながらエピタキシャル成長させることで、分極を大きくした膜多層構造体を提供することを課題とする。【解決手段】エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して(001)面が45°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられ、かつ、中間層が、酸化ジルコニウムを主成分と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に設けられている膜多層構造体とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の(001)面上に複数の薄層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して(001)面が45°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けらていることを特徴とする膜多層構造体。

IPC (6)：

H01L41/08 , H01G4/33 , H01L27/105 , H01L41/187 , H01L41/24 , H03H9/25

FI (7)：

H01L41/08 D , H03H9/25 C , H01L27/10 444C , H01L41/22 A , H01L41/18 101D , H01L41/18 101J , H01G4/06 102

F-Term (32)：

5E082AA20 , 5E082AB10 , 5E082BB10 , 5E082BC40 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082EE45 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082FG42 , 5E082FG56 , 5E082MM05 , 5E082PP10 , 5F083FR01 , 5F083HA06 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR22 , 5F083PR25 , 5F083PR33 , 5J097AA28 , 5J097BB11 , 5J097EE08 , 5J097FF01 , 5J097KK09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

積層薄膜その製造方法および電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-128230 Applicant：ティーディーケイ株式会社
半導体装置、エピタキシャル膜の製造方法、およびレーザアブレーション装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-338408 Applicant：富士通株式会社
電圧制御発振器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-285945 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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