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J-GLOBAL ID：200903057555112707

パターン形成用レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 金子 文武 ,  藤村 悟史 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997238224
Publication number (International publication number)：1999084673
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Mar. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 断面形状に優れた、忠実度の高いパターンを形成しうる、反射防止層を含むパターン形成用レジスト積層体、及びそれを用いてパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 基板上に設けられた反射防止層の上に、オキシムスルホネート系化合物及びトリス(ハロゲノアルキル)イソシアヌレートから成る酸発生剤を含むネガ型レジスト層を有するレジスト積層体を作成し、及びこの積層体のネガ型レジスト層に、活性線を選択的に照射後、加熱処理を施したのち、現像処理して反射防止層にネガ型レジストパターンを形成させ、次いでこのレジストパターンをマスクとしてドライエッチング処理して基板上にパターンを形成させる。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた反射防止層の上に、オキシムスルホネート系化合物及びトリス(ハロゲノアルキル)イソシアヌレートから成る酸発生剤を含有するネガ型レジスト膜を積層したことを特徴とするパターン形成用レジスト積層体。

IPC (6)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-171108   Applicant：東京応化工業株式会社
• レジスト塗布液用基剤、その調製方法及びそれを用いたネガ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-295571   Applicant：東京応化工業株式会社
• リソグラフィー用下地材及びそれを用いた多層レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-040523   Applicant：東京応化工業株式会社
• レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-239590   Applicant：東京応化工業株式会社