除去方法および半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002027361
Publication number (International publication number)：2003229401
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体基板上に形成された3A族元素あるいは4A族元素を含む金属を高い洗浄度で除去する。【解決手段】濃厚HFによるウエット処理を行った後、フッ化水素酸および硝酸を含む水溶液によるウエット処理を行い、ついで再度、濃厚HFによるウエット処理を行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板に付着した、3A族元素、3B族元素または4A族元素を含む汚染物質を除去する方法であって、酸またはアルカリを含む第一の除去液により前記半導体基板をウエット処理する第一の工程と、(a)フッ化水素酸またはその塩、および(b)酸化剤を含む第二の除去液により前記半導体基板をウエット処理する第二の工程と、を含むことを特徴とする除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/306 F , H01L 21/306 D

F-Term (8)：

5F043AA26 , 5F043AA28 , 5F043AA37 , 5F043BB18 , 5F043BB19 , 5F043BB25 , 5F043BB27 , 5F043DD12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

強誘電体膜の損傷層を除去するための清浄液及びこれを利用した清浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-076596 Applicant：三星電子株式会社
導電膜パターンの形成方法及び液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-213683 Applicant：松下電器産業株式会社
多結晶シリコン
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-254115 Applicant：ワッカー・ケミー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

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