Pat
J-GLOBAL ID：200903057760194732

半導体装置の製造方法

Inventor：
岡治 成治

About 岡治 成治


Applicant, Patent owner：
関西日本電気株式会社

About 関西日本電気株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001136984
Publication number (International publication number)：2002334822
Application date： May. 08, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ウェーハとマスクをステッパに1度セットするだけで、メッキパターンとコンタクトパターンを連続して露光可能とする。【解決手段】 第1フィールド21に複数チップ領域分のメッキパターン21aが形成され、第2フィールド22にコンタクトパターン22aが形成されたマスク20とポジレジストが塗布されたウェーハ1とをステッパにセットし、先ず、第1フィールド21を用いてメッキパターン21aを複数チップ領域分ずつ全チップ領域に対してステップ・アンド・リピート投影露光し、フィールドチェンジ後、第2フィールド22を用いてコンタクトパターン22aをウェーハ中心座標を原点とする所定半径の円周上の位置座標の指定のみでアライメントしてウェーハ外周部の6箇所の所定位置にステップ・アンド・リピート投影露光する。
Claim (excerpt)：
フォトリソグラフィック工程でウェーハ上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして電解メッキ工程でウェーハ外周部のレジストパターンの開口されたコンタクト領域に電極ピンを接触させてウェーハ上の各チップ領域のレジストパターンの開口された複数のメッキ領域に電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記フォトリソグラフィック工程で、前記各メッキ領域にレジストパターンの開口を形成するためのメッキパターンからなる第1フィールドと前記コンタクト領域形成位置にレジストパターンの開口を形成するためのコンタクトパターンからなる第2フィールドとを有するマスクと、レジスト塗布されたウェーハとをステッパにセットし、先ず、第1フィールドを用いてメッキパターンを全チップ領域のメッキ領域に対してステップ・アンド・リピート投影露光し、フィールドチェンジ後、第2フィールドを用いてコンタクトパターンを前記コンタクト領域形成位置にステップ・アンド・リピート投影露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (3)：
G03F 1/08 D ,  H01L 21/30 514 B ,  H01L 21/30 514 A
F-Term (7)：
2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17 ,  5F046CC14 ,  5F046FC10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 半導体製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-132555   Applicant：インフィニオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション
  • 特開昭64-038747
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-350766   Applicant：カシオ計算機株式会社
Show all
Cited by examiner (4)
  • 半導体製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-132555   Applicant：インフィニオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション
  • 特開昭64-038747
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-350766   Applicant：カシオ計算機株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM