CMP研磨剤及び基板の研磨方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999172817
Publication number (International publication number)：2001007059
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、研磨を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、両イオン性の水溶性有機低分子から選ばれた低分子添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。本発明のCMP研磨剤は、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー並びに添加剤と水を含む添加液からなり保存安定性を高めることができる。

Claim (excerpt)：

酸化セリウム粒子、分散剤、両イオン性の水溶性有機低分子から選ばれた低分子添加剤及び水を含むCMP研磨剤。

IPC (7)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C01F 17/00 , C09C 1/68 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (7)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , B24B 37/00 H , C01F 17/00 A , C09C 1/68 , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

F-Term (25)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA17 , 4G076AA02 , 4G076AB09 , 4G076BA39 , 4G076BA46 , 4G076BB08 , 4G076BC08 , 4G076CA05 , 4G076CA15 , 4G076CA26 , 4G076DA30 , 4J037AA08 , 4J037CB09 , 4J037CB16 , 4J037DD24 , 4J037EE08 , 4J037EE28 , 4J037EE43 , 4J037FF15 , 4J037FF23 , 4J037FF30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ガラス研磨用研磨材組成物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-078943 Applicant：昭和電工株式会社
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-021075 Applicant：株式会社東芝
銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-338809 Applicant：キャボットコーポレイション

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