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J-GLOBAL ID:200903057905369110
有機物除去方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萼 経夫 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000541728
Publication number (International publication number):2002510806
Application date: Mar. 30, 1999
Publication date: Apr. 09, 2002
Summary:
【要約】【課題】 有機物除去方法を提供する。【解決手段】 オゾンと、重炭酸塩または他の適当なラジカル捕捉剤からなる処理溶液が電子装置における使用のための基材を処理するために使用される、ホトレジスト除去の改良方法を開示する。本方法は、ある種の金属、例えばアルミニウム、銅およびそれらの酸化物が基材表面上に存在する場合のホトレジスト除去に、特に良好に適している。本方法はまた、他の有機材料の除去にも同様に適当である。
Claim (excerpt):
電子装置における使用のための基材から有機材料を除去する方法であって、有機材料の暴露領域を有する基材を、キャリヤー溶媒、オゾン、および重炭酸イオン源および/または炭酸イオン源を含む処理溶液で処理することからなる方法。
IPC (4):
G03F 7/42
, H01L 21/304 643
, H01L 21/304 645
, H01L 21/306
FI (4):
G03F 7/42
, H01L 21/304 643 B
, H01L 21/304 645 Z
, H01L 21/306 D
F-Term (10):
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096LA03
, 5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043CC16
, 5F043DD07
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043GG10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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電子材料用洗浄水
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-355180
Applicant:栗田工業株式会社
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半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-283744
Applicant:日本電気株式会社
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半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-331555
Applicant:アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
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半導体基板のウエット処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-056109
Applicant:日本電気株式会社
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基板処理方法および処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-316638
Applicant:クロリンエンジニアズ株式会社
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特開平3-296490
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特開平4-090891
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特開昭61-037747
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