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J-GLOBAL ID：200903057975545617

炭化珪素半導体装置

Inventor：
鈴木 拓馬

About 鈴木 拓馬

, 
河野 洋志

About 河野 洋志

, 
四戸 孝

About 四戸 孝


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (22)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008022001
Publication number (International publication number)：2009182271
Application date： Jan. 31, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：
【課題】ゲート絶縁膜の信頼性が向上した炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】第1と第2の主面を有する炭化珪素基板(101)と、炭化珪素基板の第1の主面に設けられた第1導電型の炭化珪素層(102)と、炭化珪素層の表面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域(103)と、第1の炭化珪素領域内の表面に設けられた第1導電型の第2の炭化珪素領域(104)と、炭化珪素層、第1の炭化珪素領域、及び第2の炭化珪素領域が連続して連なる部分に跨るように選択的に設けられたゲート絶縁膜(105)と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(106)と、第2及び第1の炭化珪素領域の隣接する部分に選択的に設けられたトレンチに埋め込まれた第1の電極(108)と、炭化珪素基板の前記第2の主面に形成された第2の電極(107)とを具備する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1と第2の主面を有する炭化珪素基板と、 前記炭化珪素基板の前記第1の主面に設けられた第1導電型の炭化珪素層と、 前記炭化珪素層の表面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域と、 前記第1の炭化珪素領域内の表面に設けられた第1導電型の第2の炭化珪素領域と、 前記炭化珪素層と前記第2の炭化珪素領域の表面と、前記炭化珪素層と前記第2の炭化珪素領域に挟まれた前記第1の炭化珪素層の表面に連続的に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記第2の炭化珪素領域及び前記第1の炭化珪素領域の隣接する部分に選択的に設けられたトレンチに埋め込まれた第1の電極と、 前記炭化珪素基板の前記第2の主面に形成された第2の電極と を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (6)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301D
F-Term (30)：
5F140AC21 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD06 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG02 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BH00 ,  5F140BH07 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK24 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140CE02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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