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J-GLOBAL ID：200903058110456305

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
相馬 忠昭

About 相馬 忠昭

, 
夏目 正

About 夏目 正


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004048256
Publication number (International publication number)：2005243715
Application date： Feb. 24, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：
【課題】 従来、ショットキーバリアダイオードのVF、IR特性はトレードオフの関係にあり、低VF化を実現するにはリーク電流の増大が避けられない問題があった。またP+領域を入れることで空乏層を広げピンチオフ効果を利用してリーク電流を抑える構造も知られているが現実的には空乏層を完全に閉じることは困難であった。【解決手段】 P+型領域を設けて、P+型領域とその周りの空乏領域には低VFのショットキー金属層をコンタクトさせ、空乏領域間のN型基板表面には低IRショットキー金属層をコンタクトさせる。順バイアス時には低VF金属層を電流が流れ、逆バイアス時には、空乏領域によって狭められた電流経路が低IR金属層部分のみとなる。これにより、低VF、低IRのショットキーバリアダイオードが実現できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一導電型半導体基板と、 該基板上に複数設けられた逆導電型領域と、 逆バイアス印加時に前記逆導電型領域から前記半導体基板に空乏層が広がる空乏領域と、 隣り合う前記空乏領域間に露出する前記基板表面を覆う第1の金属層と、 少なくとも前記逆導電型領域および前記空乏領域の表面を覆う第2の金属層と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (2)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 P
F-Term (9)：
4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
  • ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-297497   Applicant：富士電機株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-097554   Applicant：新電元工業株式会社
  • ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-344714   Applicant：グローバルアライアンス株式会社
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