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J-GLOBAL ID：200903058569704417

半導体装置及びその作製方法

Inventor：
石川 明

About 石川 明

, 
山口 哲司

About 山口 哲司


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004311126
Publication number (International publication number)：2005159326
Application date： Oct. 26, 2004
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：
【課題】 微細でかつ信頼性の高い多層配線構造を、容易に形成することができる技術を提供することを目的としている。【解決手段】 下層配線とその上方に絶縁層を介して配設される上層配線とを、下層配線に設けられた凸状部において電気的に接続した多層配線構造を形成する。凸状部は、柱状の導電性部材とその上層及び下層に形成されたものであり、下層配線の全体に渡って形成された導電層とで構成され、上層配線は、凸状部が絶縁層の上面と略同一平面で露出した部箇所で、下層配線と電気的に接続していることを特徴としている。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
下層配線の上方に、絶縁層を介して配設される上層配線との電気的な接続を、前記下層配線に設けられた凸状部において形成した多層配線構造を有し、 前記凸状部は、柱状の導電性部材と、その上層及び下層に形成され、前記下層配線の全体に渡って形成された導電膜とで構成され、 前記上層配線は、前記凸状部が前記絶縁層と略同一平面で露出した部箇所で、前記下層配線と電気的に接続していること を特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (5)：
H01L21/90 A ,  H05B33/14 A ,  H01L21/88 R ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 616S
F-Term (98)：
3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F033GG02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK36 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN19 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033XX03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX33 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-111574   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平2-168625
  • 集積回路とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-169589   Applicant：日本電気株式会社
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