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J-GLOBAL ID：200903089572869560

集積回路とその製造方法

Inventor：
沼田 秀昭

About 沼田 秀昭


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 野田 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998169589
Publication number (International publication number)：2000012683
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 微細化、高密度化を可能とし、かつ動作の安定性を向上させる。【解決手段】 基板11上に良導体の薄膜を形成する工程と、良導体の薄膜を基板上の所望の位置で所望の形状に加工してコンタクト電極12を形成する工程(A)と、基板11およびコンタクト電極12の上に第1の配線材料を成膜する工程と、第1の配線材料を所望の形状に加工してコンタクト電極12を覆う第1の配線13を形成する工程(B)と、基板11および第1の配線13の上に層間絶縁膜14を形成する工程(C)と、層間絶縁膜の上面を、コンタクト電極11上の第1の配線13の頂部と共に平坦化して、第1の配線13の頂部を露出させる工程(D)と、第1の配線13および層間絶縁膜14の上に第2の配線材料を成膜する工程と、第2の配線材料を加工して、第1の配線13に導通する所望形状の第2の配線15を形成する工程(E)とを含んでいる。
Claim (excerpt)：
多層配線構造を有する集積回路の製造方法において、基板上に良導体の薄膜を形成する工程と、前記良導体の薄膜を前記基板上の所望の位置で所望の形状に加工してコンタクト電極を形成する工程と、前記基板および前記コンタクト電極の上に第1の配線材料を成膜する工程と、前記第1の配線材料を所望の形状に加工して前記コンタクト電極を覆う第1の配線を形成する工程と、前記基板および前記第1の配線の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上面を、前記コンタクト電極上の前記第1の配線の頂部と共に平坦化して、前記第1の配線の前記頂部を露出させる工程と、前記第1の配線および前記層間絶縁膜の上に第2の配線材料を成膜する工程と、前記第2の配線材料を加工して、前記第1の配線の前記頂部を通じ前記第1の配線に導通する所望形状の第2の配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする集積回路の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (2)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 Z
F-Term (15)：
4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD65 ,  5F033AA15 ,  5F033AA65 ,  5F033AA71 ,  5F033BA11 ,  5F033BA12 ,  5F033BA23 ,  5F033BA25 ,  5F033BA41 ,  5F033BA47 ,  5F033EA04 ,  5F033EA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-076686   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 特開平2-001125
  • 多層配線形成法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-210140   Applicant：ヤマハ株式会社
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