炭化珪素半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：東島隆治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003405259
Publication number (International publication number)：2005167035
Application date： Dec. 03, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】炭化珪素半導体を用いたバイポーラ半導体素子の経時変化による順方向電圧の増大を防止する。【解決手段】炭化珪素半導体の結晶の(000-1)カーボン面に対するオフ角θが8度の面を結晶の成長面とし、この成長面にバッファ層、ドリフト層及び他のp型及びn型の半導体層を、時間h当たりの膜厚の増加速度が従来の3倍以上である10μm/hの成膜速度で成膜する。成膜速度を速くするために原料ガスのシラン、プロパン及びドーパントガスの流量を大幅に増やす。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭素(カーボン)と珪素の化合物である炭化珪素を基材とする第1の導電型の炭化珪素半導体の結晶の(000-1)カーボン面に対して所定のオフ角を有する面を形成した基板、及び前記基板の前記所定のオフ角を有する面を結晶の成長面として、前記成長面に第1又は第2の導電型の炭化珪素の半導体により、所定の形成速度で形成した少なくとも1つのドリフト層、を有するバイポーラ半導体素子。

IPC (6)：

H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/73 , H01L29/78

FI (6)：

H01L29/91 F , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 658E , H01L29/91 A , H01L29/72 Z

F-Term (13)：

5F003AZ01 , 5F003BA92 , 5F003BA93 , 5F003BB01 , 5F003BB08 , 5F003BC01 , 5F003BE01 , 5F003BM01 , 5F003BP12 , 5F003BP23 , 5F003BP31 , 5F003BP42 , 5F003BP46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

炭化けい素半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-160338 Applicant：富士電機株式会社
化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-118443 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-047545 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page