半導体加速度センサ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996306276
Publication number (International publication number)：1998148642
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】小型化及び低コスト化が図れるモールド樹脂で形成されたパッケージを使用すると共に、電磁波等の外来ノイズの影響を受けにくい半導体加速度センサを得る。【解決手段】半導体で形成された加速度を検出するセンサチップと、該センサチップからの信号を処理するICチップとを備え、該ICチップが固着されたセンサチップをダイパッド上に固着すると共に各リード端子にそれぞれリード線で電気的に接続した後、樹脂でモールドしてパッケージを形成してなる半導体加速度センサにおいて、上記ダイパッドを、リード線で所定のリード端子に電気的に接続し、該リード端子を介して接地すると共に、上記各リード端子を、実装時にパッケージの実装面と相対する方向にダイパッドが位置するように形成する。

Claim (excerpt)：

半導体で形成された加速度を検出するセンサチップと、該センサチップからの信号を処理するICチップとを備え、該ICチップが固着されたセンサチップをダイパッド上に固着すると共に各リード端子にそれぞれリード線で電気的に接続した後、樹脂でモールドしてパッケージを形成してなる半導体加速度センサにおいて、上記ダイパッドは、リード線で所定のリード端子に電気的に接続され、該リード端子を介して接地されると共に、上記各リード端子は、実装時に上記パッケージの実装面と相対する方向に上記ダイパッドが位置するように形成されることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/125 , H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/125 , H01L 29/84 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

静電容量型加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-150581 Applicant：オムロン株式会社
容量式センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-014912 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
半導体センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-258009 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング, 日立東京エレクトロニクス株式会社

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