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J-GLOBAL ID：200903059138983862

基板割断方法

Inventor： 森本 弘之 ,  西脇 正行 ,  井利 潤一郎 ,  稲田 源次 ,  須釜 定之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 阪本 善朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004052649
Publication number (International publication number)：2005243977
Application date： Feb. 27, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【課題】基板内部に長尺の内部亀裂を発生させ、安全性と信頼性の高い割断を行う。【解決手段】シリコン基板10の内部に、波長が経時的に変化するチャープ光パルスであるレーザ光Lを集光させて内部亀裂12を発生させる。チャープ光パルスは、集光点が深度方向にA1 からA3 まで移動するため、その移動量(Δa)だけ内部亀裂12の亀裂長さ(b)が長くなり、割断の信頼性が向上する。また、基板表面11にはケガキによる線状加工部である表面加工痕11aが設けられる。外力によってシリコン基板10を素子チップに分割する割断工程で、表面加工痕11aに応力が集中して表面加工痕11aと内部亀裂12が連結することで、基板表面11は確実に割断予定線に沿って分断されるため、精密な割断を行うことができる。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

レーザ加工によって基板を複数の素子チップに分割するための基板割断方法であって、 自己位相変調効果によって波長が経時的に変化するチャープ光パルスを基板内部に集光させ、経時的に深度が変化する集光点を起点とする内部亀裂を発生させる工程と、 内部亀裂を発生するチャープ光パルスを基板の割断予定線に沿って相対移動させることで基板内部に亀裂群を形成する工程と、 基板に外力を与えることによって亀裂群を深度方向に進展させる工程と、を有することを特徴とする基板割断方法。

IPC (2)：

H01L21/301 ,  B23K26/00

FI (5)：

H01L21/78 B ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 320E ,  H01L21/78 T ,  H01L21/78 Q

F-Term (9)：

4E068AA02 ,  4E068AA03 ,  4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278768   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• ディスクドライブ装置、記録時のアクセス方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-203115   Applicant：ソニー株式会社
• 光による被加工材の加工方法および加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-186264   Applicant：新明和工業株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-329878   Applicant：日亜化学工業株式会社
• ダイシング装置及びチップ製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-244927   Applicant：株式会社東京精密
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-088323   Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (3)

• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-329878   Applicant：日亜化学工業株式会社
• ダイシング装置及びチップ製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-244927   Applicant：株式会社東京精密
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-088323   Applicant：豊田合成株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Frequency chirp and pulse width control of internal nodification of transparent material using tailo

Cited by examiner (1)

• Frequency chirp and pulse width control of internal nodification of transparent material using tailo