Pat
J-GLOBAL ID：200903034278748097

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor：
橋村 昌樹

About 橋村 昌樹

, 
小西 茂輝

About 小西 茂輝


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004088323
Publication number (International publication number)：2005109432
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：
【課題】基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子を歩止まり良く且つ短時間で分離する。【解決手段】サファイア基板1上にIII族窒化物系化合物半導体層2を積層して、LED素子を形成した(A)。ダイヤモンドブレードを使用するダイサーによって、格子枠状の分離線に沿って、幅約30μmの半導体層除去部を形成した。次に研磨により、サファイア基板1の厚さを100μmまで薄肉化した(B)。波長355nm、ビーム径約20μmのレーザビームをスポット径0.8μmとなるよう集光し、ウエハに粘着シート3を張り付けて表面の素子を保護して移動させながら、サファイア基板1の内部に加工変質部分4を断続的に形成した。(C)。次にダイヤモンドスクライバで、分離線に沿ってスクライブライン5を入れた(D)。こうして押割(ブレーキング)により、スクライブライン5を切断面の発生位置としてクラックを拡大させて素子を分離した(E)。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
サファイア基板に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子を分離して個々のIII族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、 分離予定線付近のIII族窒化物系化合物半導体層を除去し、 サファイア基板の厚さを50〜120μmとし、 パルスレーザを集光させることにより厚さ方向の加工変質部分を前記サファイア基板の内部に分離予定面に沿って断続的に形成し、 分離予定面に沿って前記サファイア基板面にダイヤモンドスクライバでスクライブラインを形成し、 外力を加えることにより、前記ダイヤモンドスクライバにより前記サファイア基板面に形成されたスクライブラインと、前記サファイア基板の内部に断続的に形成された加工変質部分とを通過する切断面にてサファイア基板を分離切断することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (1)：
H01L21/301
FI (3)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 T
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM