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J-GLOBAL ID：200903059203703848

トランジスタ及びその製造方法、並びに、このトランジスタを有する半導体装置

Inventor：
山手 信一

About 山手 信一


Applicant, Patent owner：
住友化学株式会社

About 住友化学株式会社


Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006236198
Publication number (International publication number)：2007096288
Application date： Aug. 31, 2006
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：
【課題】 簡便な方法によって配向を有する活性層を形成でき、優れたキャリア移動度を有するトランジスタが得られるトランジスタの製造方法を提供すること【解決手段】 本発明のトランジスタの製造方法は、有機半導体化合物を含む半導体膜からなる活性層を有するトランジスタの製造方法であって、半導体膜を延伸する工程と、半導体膜を、活性層を形成させる面に対して加熱及び/又は加圧をしながら貼り付けて活性層を得る工程とを含む。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
有機半導体化合物を含む半導体膜からなる活性層を有するトランジスタの製造方法であって、 前記半導体膜を延伸する工程と、 前記半導体膜を、前記活性層を形成させる面に対して加熱及び/又は加圧をしながら貼り付けて、前記活性層を得る工程と、 を含む、トランジスタの製造方法。
IPC (7)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/28
FI (8)：
H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 390 ,  H01L27/12 B ,  H01L21/28 301B
F-Term (66)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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