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J-GLOBAL ID：200903059328018225

窒化物半導体素子

Inventor：
豊田 達憲

About 豊田 達憲


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000038195
Publication number (International publication number)：2001223386
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 発光素子全体に均一に電流を注入することができ、発光ムラがなく発光効率の高い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体と異なる異種基板上に少なくともn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子で、前記n型窒化物半導体層中に導電性薄膜が部分的に形成され、前記導電性薄膜とn電極を電気的に接続して形成されている。これにより、素子内の抵抗を低減することができ、発光ムラを最小限に抑制することができる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に少なくともn型窒化物半導体層、及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記n型窒化物半導体層中に少なくとも導電性薄膜が部分的に形成されており、前記p型窒化物半導体層側から露出された前記導電性薄膜の上面にn電極が電気的に接続して形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 R
F-Term (20)：
4M104AA04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD37 ,  4M104EE05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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