光抽出用の改良を含む発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002561291
Publication number (International publication number)：2004521494
Application date： Feb. 01, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

発光ダイオードは、第1及び第2の対向する面を有し、所定の波長範囲の光放射に対しては透明であり、断面では、第1の面から第2の面に向かって基板の中に延びる複数のペデスタルを形成するようにパターン化された基板を含む。第2の面上のダイオード領域は、電圧がダイオード領域に対して印加されると、所定の波長範囲の光を基板内に放射するように構成される。ダイオード領域上の基板の反対側の取付け支持体は、電圧がダイオード領域に対して印加されると、ダイオード領域から基板の中に放射される光が第1の面から放出されるように、ダイオード領域を支持するように構成される。基板の第1の面は、複数の三角形のペデスタルを基板の中に形成する複数の溝を中に含む。これらの溝は、テーパ付きの側壁及び/又は傾斜が付いた床面を含む。基板の第1の面は、バイアホールのアレイも中に含む。これらのバイアホールは、テーパ付きの側壁及び/又は床面を含む。

Claim (excerpt)：

第1及び第2の対向する面を有する基板であって、所定の波長範囲の光放射に対して透明であり、断面では前記第1の面から前記第2の面に向かって前記基板の中に延びる複数のペデスタルを形成するようにパターン化された基板と、前記第2の面上のダイオード領域であって、該ダイオード領域に対して電圧を印加すると、前記所定の波長範囲の光放射に対して透明な前記基板内に前記所定の波長範囲の光を放射するように構成されたダイオード領域とを含んでなる発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L33/00 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-010135 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体発光素子、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-235802 Applicant：株式会社東芝
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-064003 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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