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J-GLOBAL ID：200903059903050632

電界放出陰極及びその製造方法

Inventor： 中谷 忠司 ,  別井 圭一 ,  福田 晋也 ,  豊田 治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994149910
Publication number (International publication number)：1996017331
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 放出電流が安定で、引き出し電圧が低く、歩留りの良い電界放出陰極及びその製造方法を提供する。【構成】 電界放出陰極が、基板1或いはその上に任意に設けられたエミッタ電極2上に開口部6を有する絶縁膜3及びゲート電極4が積層され、前記開口部6中に少なくとも上層及び下層の2層からなる陰極膜が形成され、上層陰極膜10の陵の傾斜角が下層陰極膜8の陵の傾斜角より大きいことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板或いはその上に任意に設けられたエミッタ電極上に開口部を有する絶縁膜及びゲート電極が積層され、前記開口部中に少なくとも上層及び下層の2層からなる陰極膜が形成され、上層陰極膜の陵の傾斜角が下層陰極膜の陵の傾斜角より大きいことを特徴とする電界放出陰極。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 電子源用のマイクロチップの製造方法及びこの方法により得られた電子源用マイクロチップ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-098885   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 電子放出源の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-043751   Applicant：ソニー株式会社
• 電界放出陰極装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-334391   Applicant：富士通株式会社
• 点状電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077051   Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 微小真空素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094674   Applicant：日本電気株式会社