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J-GLOBAL ID:200903032459290375

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999089126
Publication number (International publication number):2000282243
Application date: Mar. 30, 1999
Publication date: Oct. 10, 2000
Summary:
【要約】【課題】 均一な密度のプラズマジェットを安定して生成することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 外側電極1を備えた筒状の反応管2、及び反応管2の内部に配置される内側電極3を具備して構成される。反応管2に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極1と内側電極3の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管2の内部にグロー放電を発生させる。反応管2からプラズマジェットを吹き出すようにするプラズマ処理装置に関する。反応管2に対して内側電極3が振れることを防止するための振れ防止スペーサ40を反応管2と内側電極3の間に設ける。反応管2の中心位置と内側電極3の中心位置をずれないようにすることができる。
Claim (excerpt):
外側電極を備えた筒状の反応管、及び反応管の内部に配置される内側電極を具備して構成され、反応管に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極と内側電極の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管の内部にグロー放電を発生させ、反応管からプラズマジェットを吹き出すようにするプラズマ処理装置において、反応管に対して内側電極が振れることを防止するための振れ防止スペーサを反応管と内側電極の間に設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
C23C 16/513 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/28 ,  H05H 1/38
FI (6):
C23C 16/513 ,  B01J 19/08 E ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/28 ,  H05H 1/38 ,  H01L 21/302 H
F-Term (39):
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA48 ,  4G075EA05 ,  4G075EB43 ,  4G075EC01 ,  4G075EC13 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC06 ,  4G075FC15 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA04 ,  4K030JA20 ,  4K030KA04 ,  4K030KA09 ,  4K030KA16 ,  4K030KA30 ,  4K057DA01 ,  4K057DA11 ,  4K057DD01 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM28 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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