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J-GLOBAL ID：200903059956571871

窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス

Inventor：
藤倉 序章

About 藤倉 序章


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003279763
Publication number (International publication number)：2005045153
Application date： Jul. 25, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
【課題】 低温バッファ層の膜厚をウエハ全面において均一にすることにより、ウエハ全面における転位密度を均一にする窒化物半導体の製造方法、その方法により得られる窒化物半導体を有する窒化物半導体ウエハ及び窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】 本発明の製造方法は、基板上に少なくとも第1及び第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、前記第1の窒化物半導体層の上に成長させる前記第2の窒化物半導体層の成長温度を700〜1300°Cとし、前記第1の窒化物半導体層の成長速度及び成長温度をそれぞれ0.5〜2.3μm/時及び430〜580°Cの範囲で選択する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも第1及び第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、前記第1の窒化物半導体層の上に成長させる前記第2の窒化物半導体層の成長温度を700〜1300°Cとし、前記第1の窒化物半導体層の成長速度を2μm/時以上2.3μm/時未満、かつ成長温度を480〜520°Cとすることを特徴とする方法。
IPC (5)：
H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00
FI (3)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H
F-Term (39)：
5F041AA03 ,  5F041AA09 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特公平8-8217号公報
Cited by examiner (5)
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