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J-GLOBAL ID：200903059981231856

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 出口 忠義 ,  吉田 孝 ,  田口 博久 ,  木村 親夫
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003401121
Publication number (International publication number)：2004363547
Application date： Dec. 01, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】 放熱構造から直接熱を放射することができる放熱構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上の半導体素子で発生する熱を半導体基板の表面から放出するため、半導体基板の表面に不規則な形状の凹凸部や球状の凸部、あるいは金黒のような放射性の優れた金属膜を形成する。このような放熱構造は、放熱構造自身から熱を放射するため、放熱効率を向上させることができる。凹凸部等は、半導体基板をエッチングすることで形成できる。また蒸着法等により、金属膜を形成することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子で発生する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を備えた半導体装置において、 前記放熱構造は、前記半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された該半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部、半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された前記熱を放射する金属層、あるいは前記凹部あるいは凸部上に形成された前記熱を放射する金属層のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L23/34

FI (1)：

H01L23/34 A

F-Term (4)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BD01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ガンダイオード及びガンダイオード発振器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-346992   Applicant：新日本無線株式会社
• 半導体装置における放熱構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-067643   Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-036351   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-264799   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置、半導体装置の製造方法、リッド部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-057366   Applicant：株式会社東芝