半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山下穣平 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006262619
Publication number (International publication number)：2008085048
Application date： Sep. 27, 2006
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】アモルファス酸化物膜をチャネル層に適用した薄膜トランジスタの閾値電圧を制御する技術を提供することを目的とする。【解決手段】複数種類の電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、各電界効果型トランジスタのチャネル層11a及び11bは、複数種類の金属元素を含有したアモルファス酸化物からなり、アモルファス酸化物の元素組成比が異なることで、電界効果型トランジスタの閾値電圧が異なることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数種類の電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、前記各電界効果型トランジスタのチャネル層は、複数種類の金属元素を含有したアモルファス酸化物からなり、前記各電界効果型トランジスタの閾値電圧が異なるように前記アモルファス酸化物の元素組成比を変化させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 612B

F-Term (21)：

5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110NN78 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-285780 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (3)

半導体装置および半導体装置作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-090157 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
トランジスタ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-365861 Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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