半導体基板及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平田忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006344918
Publication number (International publication number)：2008156141
Application date： Dec. 21, 2006
Publication date： Jul. 10, 2008
Summary：

【課題】GaNを結晶成長させる場合でも、転移密度が低い良質なエピタキシャル結晶成長が可能なβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板、(100)面の上にGaNが成長して形成されたエピタキシャル層を有するβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板、及び、これらのβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】所定の面方位である(100)面を有し、この(100)面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

所定の面方位である(100)面を有し、前記(100)面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板。

IPC (3)：

C30B 29/16 , H01L 21/205 , C30B 29/38

FI (3)：

C30B29/16 , H01L21/205 , C30B29/38 D

F-Term (34)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB10 , 4G077BE15 , 4G077CE03 , 4G077CF03 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077NA05 , 4G077PA16 , 4G077PK00 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TK06 , 4G077TK13 , 5F045AA04 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC17 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045HA06 , 5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特公昭52-36117号公報

Cited by examiner (4)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-210864 Applicant：株式会社光波
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-325757 Applicant：株式会社光波
半導体層
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-290862 Applicant：株式会社光波

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