窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000059680
Publication number (International publication number)：2000315838
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体レーザ素子を、大容量メディアの読み取り、書き取り光源として用いることができるように、高出力での横モード安定性、寿命特性を向上させる。【構成】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層、p側クラッド層、p側コンタクト層が順に積層され、p側コンタクト層側からエッチングにより、幅が1〜3μmで、深さがp側クラッド層の膜厚が、0.1μmとなる位置より下で、発光層より上になるストライプ状の導波路領域が形成されている。

Claim (excerpt)：

活性層と、その上に第1のp型窒化物半導体を含むp側クラッド層と、その上に第2のp型窒化物半導体を含むp側コンタクト層とが少なくとも順に積層され、該p側コンタクト層側からエッチングされて、ストライプ状の導波路領域が設けられた窒化物半導体レーザ素子であって、前記エッチングにより設けられたストライプの幅が、1〜3μmの範囲であり、前記エッチングの深さが、活性層よりも上で、前記p側クラッド層の膜厚が0.1μmとなる位置よりも下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (4)：

H01S 5/227 , H01L 21/3065 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (4)：

H01S 5/227 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 , H01L 21/302 J

F-Term (36)：

5F004BA04 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA13 , 5F004DB19 , 5F004EB08 , 5F041AA04 , 5F041AA09 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA42 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CB05 , 5F041FF14 , 5F041FF16 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA31 , 5F073EA15 , 5F073EA16 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-074221 Applicant：富士写真フイルム株式会社
n型窒化物半導体の電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-160726 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053428 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-074221 Applicant：富士写真フイルム株式会社
n型窒化物半導体の電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-160726 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053428 Applicant：日亜化学工業株式会社

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