マルチチャンネルFin電界効果トランジスタを備える半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005188780
Publication number (International publication number)：2006013521
Application date： Jun. 28, 2005
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】セル領域と周辺回路領域とを備え、セル領域及び周辺回路領域は、素子分離膜により画定された活性領域を備える半導体基板、素子分離膜の表面上に突出され、少なくとも二つの活性チャンネルを画定する活性領域の一部分、少なくとも二つの突出活性チャンネルを有する半導体基板の活性領域上に形成されたゲート酸化膜、ゲート酸化膜及び半導体基板の素子分離膜上に形成されたゲート電極、及び各ゲート電極の両側の半導体基板の活性領域内に形成されたソース及びドレインを備える半導体素子が提供される。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

セル領域と周辺回路領域とを備え、前記セル領域及び周辺回路領域は、素子分離膜により画定された活性領域を備える半導体基板と、前記素子分離膜の表面上に突出され、少なくとも二つの活性チャンネルを形成する前記活性領域の一部分と、前記少なくとも二つの突出活性チャンネルを有する前記半導体基板の前記活性領域上に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜及び前記半導体基板の前記素子分離膜上に形成されたゲート電極と、前記各ゲート電極の両側の前記半導体基板の前記活性領域内に形成されたソース及びドレインと、を備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (4)：

H01L 27/088 , H01L 21/823 , H01L 27/08 , H01L 29/786

FI (5)：

H01L27/08 102A , H01L27/08 331E , H01L29/78 613Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618C

F-Term (53)：

5F048AA01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB03 , 5F048BC01 , 5F048BC02 , 5F048BC18 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD06 , 5F048BD09 , 5F048BD10 , 5F048BG13 , 5F048CB00 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110CC02 , 5F110EE02 , 5F110EE09 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG29 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HM04 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN78 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第6,391,782号明細書
米国特許第6,664,582号明細書

Cited by examiner (8)

特開平4-268767
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-237503 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
特開昭64-061059

Show all

Return to Previous Page