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J-GLOBAL ID：200903060717621253

AlxGayIn1-x-yN結晶の製造方法

Inventor：
上村 智喜

About 上村 智喜

, 
藤原 伸介

About 藤原 伸介

, 
嶋津 充

About 嶋津 充


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004161762
Publication number (International publication number)：2005343704
Application date： May. 31, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：
【課題】 クラックの発生を低減したAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶基板および半導体デバイスを提供する。【解決手段】 ハロゲン化アルミニウムガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によってGaN結晶基板の表面上にAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶を成長させる工程と、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の成長時におけるGaN結晶基板の温度を800°C以上1200°C以下とした状態でGaN結晶基板をエッチングにより除去する工程とを含むAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶基板および半導体デバイスである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ハロゲン化アルミニウムガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって窒化ガリウム結晶基板の表面上にAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶を成長させる工程と、前記AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の成長時における窒化ガリウム結晶基板の温度を800°C以上1200°C以下とした状態で前記窒化ガリウム結晶基板をエッチングにより除去する工程と、を含む、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法。
IPC (1)：
C30B29/38
FI (1)：
C30B29/38 D
F-Term (15)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077EA01 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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