半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006012162
Publication number (International publication number)：2006229212
Application date： Jan. 20, 2006
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリント技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形状となりやすかった。【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する1つの開口を形成するのではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の導電層と、複数の貫通した開口を有し、且つ前記第1の導電層を覆う絶縁膜と、前記複数の貫通した開口を介して前記第1の導電層と接触する第2の導電層とを有し、前記第2の導電層は、導電性粒子を含み、前記複数の貫通した開口と重なる第2の導電層の表面と、前記複数の貫通した開口と重ならない第2の導電層の表面とが同一面に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/768 , H01L 29/786 , H01L 23/522 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (5)：

H01L21/90 A , H01L29/78 612C , H01L21/90 B , G02F1/136 , H05B33/14 A

F-Term (116)：

2H092GA11 , 2H092GA31 , 2H092HA01 , 2H092HA11 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB21 , 2H092MA01 , 2H092NA27 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033HH31 , 5F033HH35 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ31 , 5F033JJ35 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK31 , 5F033KK35 , 5F033KK38 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033NN34 , 5F033PP26 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033QQ73 , 5F033QQ83 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL22 , 5F110HM02 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110QQ19 , 5F110QQ21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第4861964号
米国特許第5708252号
米国特許第6149988号

Cited by examiner (7)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-072613 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-319004 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-159575 Applicant：株式会社東芝

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