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J-GLOBAL ID：200903060800035714

有機強誘電メモリーセル

Inventor：
バオミン シュ

About バオミン シュ


Applicant, Patent owner：
ゼロックス・コーポレーション

About ゼロックス・コーポレーション


Agent (9)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003178256
Publication number (International publication number)：2004040094
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
【課題】優れた特性を有するメモリーセルを提供することにある。【解決手段】a)二つの対向面を有する有機半導体、b)有機半導体の一つの面と接触する二つの隔置された電極(その間の距離はチャンネル長さであり、その間の有機半導体の部分はチャンネル領域として形成される)、c)誘電率及び二つの対向面を有する強誘電ポリマー(一つの面はチャンネル領域の少なくとも一部について有機半導体の一つの面と接触している)、及びd)チャンネル領域の少なくとも一部について強誘電ポリマーの一つの面と接触しているゲート電極を含むことを特徴とするメモリーセル。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
a)二つの対向面を有する有機半導体、 b)有機半導体の一つの面と接触する二つの隔置された電極であって、その間の距離はチャンネル長さであり、その間の有機半導体の部分はチャンネル領域として画定される電極、 c)誘電率及び二つの対向面を有する強誘電ポリマーであって、一つの面はチャンネル領域の少なくとも一部についての有機半導体の一つの面と接触している強誘電ポリマー、及び d)チャンネル領域の少なくとも一部についての強誘電ポリマーの一つの面と接触しているゲート電極 を含むことを特徴とするメモリーセル。
IPC (4)：
H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (2)：
H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371
F-Term (8)：
5F083FR05 ,  5F083FR07 ,  5F083FZ07 ,  5F083JA01 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F101BA62
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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