半導体メモリ素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000288373
Publication number (International publication number)：2002100743
Application date： Sep. 22, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】ゲート部の一部が強誘電体層で形成された電界効果型トランジスタを用いた半導体メモリ素子において、メモリ保持特性を改善することを目的とする。【解決手段】強誘電体層14とゲート電極16間に上部絶縁層15を設けることにより、強誘電体層14からゲート電極16へのリーク電流経路を低減し、リーク電流を大幅に低減することにより、メモリ素子のリテンション特性を改善する。

Claim (excerpt)：

ゲート部の一部が強誘電体層で形成された電界効果型トランジスタを用いた半導体メモリ素子であって、前記ゲート部のゲート電極と前記強誘電体層間および前記強誘電体層とゲートチャネル側半導体間の双方に絶縁層を設けたことを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (4)：

H01L 27/105 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

F-Term (20)：

5F001AA01 , 5F001AA17 , 5F001AA34 , 5F001AA63 , 5F001AD12 , 5F001AE02 , 5F001AF06 , 5F083FR05 , 5F083FR06 , 5F083FR07 , 5F083GA30 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F101BA01 , 5F101BA16 , 5F101BA36 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BE05 , 5F101BF02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

MFS型強誘電体記憶素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364033 Applicant：旭化成工業株式会社, 垂井康夫
強誘電体キャパシタ、強誘電体不揮発性記憶装置および強誘電体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-103457 Applicant：ソニー株式会社
特表平6-504409

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Cited by examiner (7)

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