成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006004192
Publication number (International publication number)：2006287195
Application date： Jan. 11, 2006
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】薄膜中の元素の組成比を均一化させることが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、処理容器4と、被処理体を複数段に保持する保持手段12と、処理容器の外周に設けられる加熱手段86と、成膜用の複数の異なる原料ガスを混合させて混合ガスを形成する混合タンク部50と、混合ガスを処理容器内へ供給する混合ガスノズル部30と、混合ガスと反応する反応性ガスを処理容器内へ供給する反応性ガスノズル部28と、混合ガスと反応性ガスとを交互に且つ間欠的に処理容器内へ供給するように前記混合ガスと反応性ガスの供給を制御する制御手段60とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理体に対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、前記被処理体を複数段に保持して前記処理容器内に挿脱される保持手段と、前記処理容器の外周に設けられる加熱手段と、成膜用の複数の異なる原料ガスを混合させて混合ガスを形成する混合タンク部と、前記混合タンク部からの混合ガスを前記処理容器内へ供給する混合ガスノズル部と、前記混合ガスと反応する反応性ガスを前記処理容器内へ供給する反応性ガスノズル部と、前記混合ガスと前記反応性ガスとを交互に且つ間欠的に前記処理容器内へ供給するように前記混合ガスと前記反応性ガスの供給を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 , C23C 16/52 , H01L 21/318

FI (3)：

H01L21/31 C , C23C16/52 , H01L21/318 B

F-Term (52)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA38 , 4K030BA41 , 4K030BA49 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030HA15 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AB33 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045BB02 , 5F045BB04 , 5F045DP19 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EE19 , 5F045EH04 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BC12 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

照明装置および液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-192257 Applicant：東芝ライテック株式会社
縦型半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-107067 Applicant：株式会社日立国際電気

Cited by examiner (7)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-141045 Applicant：東京エレクトロン株式会社
基板処埋装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-295323 Applicant：株式会社日立国際電気
常圧CVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-214896 Applicant：山形日本電気株式会社

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