Pat
J-GLOBAL ID：200903010995728010

基板処埋装置

Inventor：
境 正憲

About 境 正憲

, 
加賀谷 徹

About 加賀谷 徹

, 
嶋 信人

About 嶋 信人


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002295323
Publication number (International publication number)：2004134466
Application date： Oct. 08, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：
【課題】薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にする。【解決手段】反応室6内の基板7を処理する処理用ガスを流す供給路51の途中に、処理用ガスを溜めるガス溜め部10と、そのガス溜め部10をバイパスするバイパスライン11とを並設する。薄膜を成膜するとき、処理用ガスを供給炉51の途中のガス溜め部10に溜めることなく反応室6に徐々に供給して、基板7上に十分拡散するようにし、成膜される膜の厚さを均一にする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板を処理する空間を形成する反応室と、 前記反応室に接続され、前記基板の処理用ガスを供給するガス供給配管及び、前記反応室内を排気するガス排気配管とを有した基板処理装置であって、 前記ガス供給配管の途中に、前記反応室に供給するガスを溜めるガス溜め部と、そのガス溜め部をバイパスするバイパスラインとを並設し、 前記基板を処理するとき、前記ガス溜め部か前記バイパスラインのどちらか一方を使用して前記処理用ガスを前記反応室に供給させる制御部を設けたこと特徴とする基板処理装置。
IPC (2)：
H01L21/31 ,  C23C16/455
FI (2)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455
F-Term (18)：
4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030EA03 ,  4K030KA04 ,  4K030KA28 ,  4K030KA41 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE04 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 成膜方法および成膜装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-014991   Applicant：理化学研究所
  • 特開昭62-106627
  • 成膜方法及び成膜装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248292   Applicant：株式会社東芝
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM