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J-GLOBAL ID：200903061244775122

MRAM構造を側壁によって閉じ込める、自己整合型かつトレンチなし磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)構造

Inventor： トゥルン ティー.ドアン ,  ロジャー リー ,  デニス ケラー ,  ガテー サンドー ,  レン アール
Applicant, Patent owner： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
Agent (3)： 谷 義一 ,  阿部 和夫 ,  橋本 傳一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002574699
Publication number (International publication number)：2004519859
Application date： Mar. 12, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

本発明は、トレンチなしのMRAM構造の製造方法に関し、かつその方法によって得られるMRAM構造に関する。本発明のMRAM構造は、基板上に形成した保護側壁内部に固着層を有する。保護側壁が、自己整合によるMRAM構造の形成を助長する。

Claim (excerpt)：

MRAMデバイスを形成する方法であって、 自立型絶縁側壁を基板上に形成して、該側壁によって区切られる保護領域を形成し、前記側壁が前記基板の最上レベルの上方に形成される工程と、 前記保護領域内に底部磁性層を形成する工程と、 上部磁性層を前記底部磁性層の領域上に形成する工程と を備えたことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

FI (4)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12

F-Term (11)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-335898   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-315319   Applicant：日本電気株式会社
• 強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-353295   Applicant：ローム株式会社
• 磁気素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-089616   Applicant：株式会社東芝
• メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-565541   Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• 不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-277687   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-093935   Applicant：株式会社東芝