ZnO単結晶の製造方法およびそれによって得られた自立ZnO単結晶ウエファー

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：小林浩 , 片山英二 , 田村恭子 , 杉山共永 , 鈴木康仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008080639
Publication number (International publication number)：2009234825
Application date： Mar. 26, 2008
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：

【課題】Li濃度が低い自立ZnO単結晶を提供する。【解決手段】溶質であるZnOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液8に、種結晶基板7を直接接触させ、種結晶基板7を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりZnO単結晶を種結晶基板7上に成長させることができる。ZnO単結晶を成長させた後、基板7を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した-c面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ZnO単結晶を得ることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

溶質であるZnOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、種結晶基板を直接接触させる工程と、前記種結晶基板を連続的あるいは間欠的に引上げることによってZnO単結晶を前記種結晶基板上に成長させる工程と、を有することを特徴とする液相エピタキシャル成長法によるZnO単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/16 , C30B 19/02 , C30B 33/00 , H01L 21/208

FI (4)：

C30B29/16 , C30B19/02 , C30B33/00 , H01L21/208 D

F-Term (30)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077CG02 , 4G077CG06 , 4G077EB01 , 4G077EC08 , 4G077EH05 , 4G077EH09 , 4G077FG11 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA05 , 4G077HA06 , 4G077HA11 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26 , 4G077QA27 , 4G077QA32 , 5F053AA03 , 5F053BB04 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053LL01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

酸化亜鉛基積層構造体及びその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-209145 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
高純度酸化亜鉛単結晶の製造方法および高純度酸化亜鉛単結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-025983 Applicant：東京電波株式会社, 三菱化学株式会社
国際公開第2007/100146号パンフレット

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Cited by examiner (5)

酸化物超電導導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-108611 Applicant：株式会社フジクラ, 東京電力株式会社, 財団法人鉄道総合技術研究所, 住友電気工業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター
バイクリスタル酸化物超電導膜体及び該膜体を用いた高温超電導ジョセフソン接合素子並びに超電導量子干渉素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-182223 Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター
特開昭63-144191

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