III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006050256
Publication number (International publication number)：2007223878
Application date： Feb. 27, 2006
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

【課題】低転位密度のIII族窒化物結晶を得ることができるIII族窒化物結晶の製造方法およびその方法により得られるIII族窒化物結晶基板を提供する。【解決手段】石英反応管の内部における、ハロゲン化ガリウムガス、ハロゲン化インジウムガスおよびハロゲン化アルミニウムガスからなる群から選択された少なくとも1種のガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって、下地基板の表面上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、III族窒化物結晶の成長中に下地基板の温度を変化させるIII族窒化物結晶の製造方法とその方法により得られるIII族窒化物結晶基板である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

石英反応管の内部における、ハロゲン化ガリウムガス、ハロゲン化インジウムガスおよびハロゲン化アルミニウムガスからなる群から選択された少なくとも1種のガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって、下地基板の表面上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、III族窒化物結晶の成長中に下地基板の温度を変化させることを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 , C30B 25/10

FI (2)：

C30B29/38 D , C30B25/10

F-Term (25)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB03 , 4G077TC06 , 4G077TJ03 , 4G077TK01 , 4G077TK11 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045BB12 , 5F045DA52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-185486 Applicant：日立電線株式会社
窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-006467 Applicant：日立電線株式会社
窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-280102 Applicant：昭和電工株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Two-step growth of high-quality GaN by hydride vapor-phase epitaxy

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