トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999028392
Publication number (International publication number)：2000228519
Application date： Feb. 05, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの飽和電圧-ターンオフ損失のトレードオフ特性を改善する。【解決手段】?@第一導電型ドリフト層の表面層に第二導電型ウェル領域を選択的に形成し、第一導電型ドリフト層の一部が表面に達するようにする。?A第二導電型ウェル領域を選択的に形成し、第二導電型ウェル領域が形成されていない部分に第一導電型ドリフト層より高濃度の第一導電型ドープ領域を形成する。?B第一導電型ドリフト層の表面露出部、または第一導電型ドープ領域上に補助ゲート絶縁膜を介して補助ゲート電極を設ける。?C側壁に第二導電型ウェル領域および第一導電型エミッタ領域の無いトレンチ部分を設ける。?Dトレンチの幅Wt とトレンチ間の第二導電型ウェル領域の幅Wp との比Wt /Wp を1〜20の範囲とする。

Claim (excerpt)：

第一導電型ドリフト層の表面層に形成された第二導電型ウェル領域と、その第二導電型ウェル領域内に形成された第一導電型エミッタ領域と、第一導電型エミッタ領域の表面から掘り下げられた第一導電型ドリフト層に達するトレンチと、そのトレンチ内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極と、第一導電型エミッタ領域と第二導電型ウェル領域との表面に共通に接触して設けられたエミッタ電極と、第一導電型ドリフト層の裏面側に形成された第二導電型コレクタ層と、その第二導電型コレクタ層の表面に設けられたコレクタ電極とを有するトレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、第二導電型ウェル領域が選択的に形成され、第一導電型ドリフト層の一部が表面に達することを特徴とするトレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

FI (4)：

H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-251983
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-005057 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280961 Applicant：三菱電機株式会社

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