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J-GLOBAL ID：200903061518835275

磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス

Inventor：
江▲崎▼ 城一朗

About 江▲崎▼ 城一朗

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古賀 啓治

About 古賀 啓治

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柿沼 裕二

About 柿沼 裕二


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (1)： 酒井 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003069194
Publication number (International publication number)：2004281599
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：
【課題】感磁層内に効率よく磁界を発生させて書込効率を向上させ得る磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】ビット線5および書込ワード線6の交差部分にビット線5および書込ワード線6に挟まれるようにして配設されると共に、ビット線5および書込ワード線6の周囲に発生する各磁界の合成磁界によって磁化方向が変化する感磁層23を含み、かつ積層面に対して垂直な方向に電流が流れるように構成されたTMR素子20と、交差部分におけるビット線5および書込ワード線6の双方を個別に被覆することによってビット線5に対する環状磁性層RM1および書込ワード線6に対する環状磁性層RM2をそれぞれ形成する磁性体2とを備え、感磁層23は、磁性体2におけるビット線5および書込ワード線6によって挟まれた各環状磁性層RM1,RM2の磁性体部2aを含んで構成されている。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
第1の書込線および第2の書込線の交差部分に当該第1の書込線および第2の書込線に挟まれるようにして配設されると共に、当該第1の書込線および第2の書込線の周囲に発生する各磁界の合成磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、かつ積層面に対して垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、 前記交差部分における前記第1の書込線および前記第2の書込線の双方を個別に被覆することによって当該第1の書込線に対する環状磁性層および前記第2の書込線に対する環状磁性層をそれぞれ形成する磁性体とを備え、 前記感磁層は、前記磁性体における前記第1の書込線および前記第2の書込線によって挟まれた前記各環状磁性層の共有部位を含んで構成されている磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (4)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 120 ,  H01L43/08 Z
F-Term (9)：
5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083LA01 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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