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J-GLOBAL ID:200903061668152680

金メッキプリント基板上に装着された半導体素子の封止方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩見谷 周志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005323241
Publication number (International publication number):2007134372
Application date: Nov. 08, 2005
Publication date: May. 31, 2007
Summary:
【課題】半導体素子を装着した金メッキプリント基板をシリコーン樹脂で封止する際に十分な接着性を有する半導体素子の封止方法を提供する。【解決手段】金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、前記金メッキプリント基板を予め酸無水物基含有アルコキシシラン若しくはその部分加水分解縮合物又はそれらの組み合わせからなる処理剤で処理する上記封止方法、並びに金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、前記硬化性シリコーン樹脂が酸無水物基含有アルコキシシラン若しくはその部分加水分解縮合物又はそれらの組み合わせからなる処理剤を含有する上記封止方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、 前記金メッキプリント基板を予め酸無水物基含有アルコキシシランもしくはその部分加水分解縮合物またはそれらの組み合わせからなる処理剤で処理する上記封止方法。
IPC (1):
H01L 21/56
FI (1):
H01L21/56 R
F-Term (5):
5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA04 ,  5F061CB02 ,  5F061CB12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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