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J-GLOBAL ID：200903046127337549

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor：
森田 好次

About 森田 好次

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峰 勝利

About 峰 勝利

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中西 淳二

About 中西 淳二

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江南 博司

About 江南 博司


Applicant, Patent owner：
東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

About 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003424821
Publication number (International publication number)：2005183788
Application date： Dec. 22, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 半導体装置を封止する際、ボイドの混入がなく、厚さを精度良くコントロールすることができ、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、半導体チップや回路基板の反りが小さい半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性シリコーン組成物が、(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(C)白金系触媒、および(D)充填剤から少なくともなり、前記(A)成分と前記(B)成分の少なくとも一方がT単位シロキサンおよび/またはQ単位シロキサンを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性シリコーン組成物が、(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(C)白金系触媒、および(D)充填剤から少なくともなり、前記(A)成分が、式:RSiO3/2(式中、Rは一価炭化水素基である。)で示されるシロキサン単位および/または式:SiO4/2で示されるシロキサン単位を有するか、前記(B)成分が、式:R'SiO3/2(式中、R'は脂肪族不飽和炭素-炭素結合を有さない一価炭化水素基または水素原子である。)で示されるシロキサン単位および/または式:SiO4/2で示されるシロキサン単位を有するか、または前記(A)と前記(B)成分のいずれもが前記シロキサン単位を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31
FI (2)：
H01L23/30 R ,  H01L21/56 T
F-Term (12)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA22 ,  4M109EA10 ,  4M109EB11 ,  4M109EB18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F061DA01 ,  5F061DA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (19)
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