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J-GLOBAL ID：200903061703303646

超純水用膜モジュールの洗浄方法

Inventor：
地蔵 眞一

About 地蔵 眞一


Applicant, Patent owner：
日東電工株式会社

About 日東電工株式会社


Agent (4)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005035862
Publication number (International publication number)：2006218440
Application date： Feb. 14, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：
【課題】 半導体製造工場で使用される超純水中へのイオン、有機物の溶出を低減し、極めて純度の高い超純水を安定供給することができ、かつ超純水の使用における立上り時間を短縮することができる超純水用膜モジュールの洗浄方法を提供すること。【解決手段】 超純水の製造システムに使用する外圧型中空糸膜モジュールの洗浄方法であって、洗浄に使用する洗浄水の温度を60°C以上とし、かつ、正濾過工程、逆濾過工程、浸漬工程、フラッシング工程、および排出工程のうちのいずれか2以上の工程を組み合わせることを特徴とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
超純水の製造システムに使用する外圧型中空糸膜モジュールの洗浄方法であって、洗浄に使用する洗浄水の温度を60°C以上とし、かつ、正濾過工程、逆濾過工程、浸漬工程、フラッシング工程、および排出工程のうちのいずれか2以上の工程を組み合わせることを特徴とする超純水用膜モジュールの洗浄方法。
IPC (3)：
C02F 1/44 ,  B01D 63/02 ,  B01D 65/02
FI (4)：
C02F1/44 J ,  B01D63/02 ,  B01D65/02 ,  B01D65/02 530
F-Term (9)：
4D006GA02 ,  4D006HA19 ,  4D006KC02 ,  4D006KC03 ,  4D006KC05 ,  4D006KC15 ,  4D006KE16R ,  4D006KE28R ,  4D006PC02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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