不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999118115
Publication number (International publication number)：2000311992
Application date： Apr. 26, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、セルトランジスタと周辺トランジスタとが同一基板上に設けられてなるEEPROMにおいて、それぞれのゲート長が異なっても、後酸化量やアニールの条件を最適化できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、周辺トランジスタCTのゲート電極部41よりもゲート長が短い、セルトランジスタST側を第1の絶縁膜37によって覆った状態で、酸化雰囲気中にてアニールする。この場合、周辺トランジスタCTのソース・ドレイン拡散層42,43はゲート電極部41とオーバラップするほどに十分に成長する。一方、セルトランジスタST側では酸化の進行が抑えられ、後酸化によるバーズビーク量の増加や、不純物の過度の拡散によるショートチャネル効果を抑制することが可能な構成となっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にメモリセル部とその周辺回路部とが設けられてなる不揮発性半導体記憶装置において、前記周辺回路部を構成する、第1のゲート長からなる第1のゲート電極部を有する第1のトランジスタと、前記メモリセル部を構成する、前記第1のゲート電極部よりも長さの短い、第2のゲート長からなる第2のゲート電極部を有する第2のトランジスタと、この第2のトランジスタだけを覆うようにして、前記メモリセル部にのみ選択的に設けられた第1の絶縁膜とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5)：

H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 434 , H01L 27/10 481 , H01L 29/78 371

F-Term (30)：

5F001AA25 , 5F001AB08 , 5F001AD12 , 5F001AD41 , 5F001AD53 , 5F001AF07 , 5F001AG02 , 5F001AG03 , 5F001AG10 , 5F001AG30 , 5F001AG40 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP32 , 5F083EP55 , 5F083EP76 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA30 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083MA01 , 5F083MA20 , 5F083PR33 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体不揮発性記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-228263 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置とその製造方法および不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-228256 Applicant：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-347425 Applicant：株式会社東芝

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