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J-GLOBAL ID:200903061932101844

表面コーティングによるCuワイヤの電気移動および応力誘導移動の低減

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂口 博 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001512629
Publication number (International publication number):2003505882
Application date: Jul. 27, 2000
Publication date: Feb. 12, 2003
Summary:
【要約】【課題】 レベル間誘電体の付着前に厚さ1〜20nmの金属層によりオン・チップ相互接続(BEOL)配線中のパターン化Cu導線の自由表面をコーティングすること。【解決手段】 このコーティングは研磨による追加の平坦化の必要をなくし、かつ本発明者らが電気移動および熱応力ボイド形成による金属線欠陥の主な一因として特定したCuの酸化および表面または界面拡散に対して保護するのに十分薄い。また、この金属層はCuと誘電体の間の接着強度を増大させて、寿命をさらに延ばし、プロセス歩留りを高める。自由表面は、Cu配線をパターン化するダマシン・プロセスまたは乾式エッチング・プロセスにおけるCMP(化学的機械研磨)の直接的結果である。それ以降の処理を最小限に抑えるため、Cu上に金属キャップ層を選択的プロセスによって付着することを提案する。金属または金属形成化合物の化学気相付着(CVD)も使用できるが、大幅な信頼性の利点を示すため、CoWP、CoSnP、Pdなどの無電解金属コーティングを使用した。
Claim (excerpt):
高い電気移動抵抗を有する導体を形成する方法であって、 基板上に誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層中に少なくとも1つのトレンチを形成するステップと、前記トレンチ内に金属ライナを形成するステップと、前記金属ライナ上に導体を形成して前記トレンチを充填するステップと、前記誘電体層の上面と同一平面上の前記導体の平坦化上面を形成するステップと、前記導体の前記上面の上に導電フィルムを形成するステップとを含んでおり、前記導電フィルムが金属間メタラジ結合を形成する方法。
IPC (3):
H01L 21/3205 ,  C23C 18/16 ,  H01L 21/28 301
FI (3):
C23C 18/16 B ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/88 R
F-Term (80):
4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022BA06 ,  4K022BA10 ,  4K022BA16 ,  4K022BA17 ,  4K022BA21 ,  4K022BA24 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  4K022EA01 ,  4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • Copper electroless deposition technology for ultra-large-scale-integration(ULSI) metallization
  • High aspect ratio quarter-micron electroless copper integrated technology

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