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J-GLOBAL ID:200903061945318338
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
國分 孝悦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001190145
Publication number (International publication number):2003008004
Application date: Jun. 22, 2001
Publication date: Jan. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 換算膜厚の薄膜化を図りつつ、トンネル効果によるリーク電流を抑えたゲート絶縁膜を形成する。【解決手段】 シリコン単結晶基板1上にゲート絶縁膜2を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜2上に導電膜を形成する工程と、少なくとも上記導電膜を加工してゲート電極3を形成する工程とを含み、上記ゲート絶縁膜2を、シリコン単結晶基板1上にCVD法により堆積形成した膜厚1nm程度のアルミニウム酸化膜2aと、上記アルミニウム酸化膜2a上にCVD法により堆積形成した膜厚4nm程度のハフニウム酸化膜2bと、上記ハフニウム酸化膜2b上に上記アルミニウム酸化膜2aと同様の形成条件によりCVD法により堆積形成した膜厚1nm程度のアルミニウム酸化膜2cとから形成する。
Claim (excerpt):
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、少なくとも上記導電膜を加工してゲート電極を形成する工程とを含み、上記ゲート絶縁膜を、第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜の半導体基板側及びゲート電極側のうち少なくともいずれか一方の面に形成された上記第1の絶縁膜よりも誘電率の低い材料からなる第2の絶縁膜とから形成し、上記第1の絶縁膜に対して上記第2の絶縁膜が遍在することを特徴とする半導体装置の製造方法。
F-Term (29):
5F140AA19
, 5F140AB03
, 5F140BA01
, 5F140BD02
, 5F140BD05
, 5F140BD07
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BD15
, 5F140BE03
, 5F140BE10
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF14
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG51
, 5F140BG53
, 5F140BH15
, 5F140BK02
, 5F140BK12
, 5F140BK13
, 5F140BK21
, 5F140CB01
, 5F140CB04
, 5F140CE07
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