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J-GLOBAL ID：200903061945318338

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 森▲崎▼ 祐輔 ,  杉田 義博 ,  入野 清
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001190145
Publication number (International publication number)：2003008004
Application date： Jun. 22, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 換算膜厚の薄膜化を図りつつ、トンネル効果によるリーク電流を抑えたゲート絶縁膜を形成する。【解決手段】 シリコン単結晶基板1上にゲート絶縁膜2を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜2上に導電膜を形成する工程と、少なくとも上記導電膜を加工してゲート電極3を形成する工程とを含み、上記ゲート絶縁膜2を、シリコン単結晶基板1上にCVD法により堆積形成した膜厚1nm程度のアルミニウム酸化膜2aと、上記アルミニウム酸化膜2a上にCVD法により堆積形成した膜厚4nm程度のハフニウム酸化膜2bと、上記ハフニウム酸化膜2b上に上記アルミニウム酸化膜2aと同様の形成条件によりCVD法により堆積形成した膜厚1nm程度のアルミニウム酸化膜2cとから形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、少なくとも上記導電膜を加工してゲート電極を形成する工程とを含み、上記ゲート絶縁膜を、第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜の半導体基板側及びゲート電極側のうち少なくともいずれか一方の面に形成された上記第1の絶縁膜よりも誘電率の低い材料からなる第2の絶縁膜とから形成し、上記第1の絶縁膜に対して上記第2の絶縁膜が遍在することを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (29)：

5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE03 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07