液晶表示装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994264841
Publication number (International publication number)：1996122821
Application date： Oct. 28, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】安価でかつ良好な画像品質が得られる液晶表示装置の構造を提供すること。【構成】画素電極を走査電極と同一平面上に形成し、その一端を走査電極上まで延在させ付加容量を形成した。また、a-Si膜とゲート絶縁膜を略同一の平面形状に加工し、さらにa-Si膜とゲート絶縁膜のパターンを付加容量部の走査電極の段さ部分に形成し、さらにこのゲート絶縁膜,真性非晶質Si(a-Si)膜のパターンを乗り越えるように保護電極を形成した。【効果】液晶印加電圧が保持期間中に減衰することを防止でき良好な保持特性を実現できる。絶縁耐圧の低下が防止できる。製造工程を短縮でき、製造歩留まりが向上する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成した複数の走査電極および共通電極と、前記走査電極および共通電極と交差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する保護絶縁膜とからなるアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向基板とに挟持された液晶層とから構成され、前記画素電極によって前記液晶層を駆動する機能を有する液晶表示装置において、前記付加容量は共通電極と、前記共通電極の表面および側面を被覆するように形成された共通電極の自己酸化膜と、前記自己酸化膜上に直接形成された上部電極とから構成され、かつ、前記薄膜トランジスタを構成する半導体膜とゲート絶縁膜は、略同一の平面形状を有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

特開平2-271320
特開平4-218028
アクティブマトリクス表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-108488 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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